KWN2FP150R12S3BN
特征
采用最新沟槽栅场截止型IGBT芯片
集成NTC温度传感器
高可靠性及热稳定性，良好的参数一致性
低通态损耗
高短路耐量（>10us）
应用领域
通用变频器 电机传动
伺服驱动器 等
详细参数
Type | Family | Package | Switching Speed | VCES (V) | IC @ 100℃ (A) | VCE(sat) @25℃ typ (V) | tf (typ) (ns) | Eoff @25℃ typ (mJ) | Vf @25℃ typ（V） | 推 荐 应 用 |
KWN2FP150R12S3BM | Power Modules | L2(对应KT4) | Fast | 1200 | 150 | 2 | 223 | 11.7 | 1.9 | 变频器 |
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