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KWN2FP150R12S3BM

特征

采用最新沟槽栅场截止型IGBT芯片
集成NTC温度传感器
高可靠性及热稳定性,良好的参数一致性
低通态损耗
高短路耐量(>10us)

应用领域

电机传动

伺服驱动器等

 
详细参数

Type

Family

Package

Switching Speed

VCES

(V)

IC

 @ 100 (A)

VCE(sat)

@25  typ (V)

tf (typ)  (ns)

Eoff

 @25 typ (mJ)

Vf

@25 typV

KWN2FP150R12S3BM 

Power Modules

L2(对应KT4)

Fast

1200

150

2

223 

11.7

1.8

通用变频器


KWN2FP150R12S3BM中文数据手册下载 

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