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KWFFP15R12NS3_B

特征
采用最新沟槽栅场截止型IGBT芯片
采用外延扩铂FRD芯片
集成NTC温度传感器
高可靠性及热稳定性,良好的参数一致性
100% RBSOA测试(2*IC)
低通态损耗(VCE=1.85V)
低关断损耗 (Eoff=0.71mJ)
高短路耐量(>10us)

 
详细参数

Type

Family

Package

Switching Speed

VCES

IC

VCE(sat)

tf (typ)  (ns)

Eoff

Vf

推 荐 应 用

(V)

 @ 100 (A)

@25  typ (V)

 @25 typ (mJ)

@25 typV

KWFFP15R12NS3_B

Power Modules

L6

Fast

1200

15

1.80

121

0.71

2.1

通用变频器



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