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KWMFP25R12NS3_B

特征
采用最新沟槽栅场截止型IGBT芯片
采用外延扩铂金FRD芯片
集成NTC温度传感器
高可靠性及热稳定性,良好的参数一致性
100% RBSOA测试(2*I C )
低通态损耗(V CE =2.0V)
低关断损耗 (E off =1.22mJ)
高短路耐量(>10us)
应用领域
电机传动
伺服驱动器 等
 
详细参数

Type

Family

Package

Switching Speed

VCES

IC

VCE(sat)

tf (typ)  (ns)

Eoff

Vf

推 荐 应 用

(V)

 @ 100 (A)

@25  typ (V)

 @25 typ (mJ)

@25 typV

KWMFP25R12NS3_B

Power Modules

L1-1(对应KT4)

Fast

1200

25

2.0

226

1.22

1.8

通用变频器


KWMFP25R12NS3_B数据手册下载

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