KWMFP25R12NS3_B
特征
采用最新沟槽栅场截止型IGBT芯片
采用外延扩铂金FRD芯片
集成NTC温度传感器
高可靠性及热稳定性，良好的参数一致性
100% RBSOA测试（2*I C ）
低通态损耗（V CE =2.0V）
低关断损耗 (E off =1.22mJ)
高短路耐量（>10us）
无铅，符合RoHS
应用领域
电机传动
伺服驱动器 等
采用最新沟槽栅场截止型IGBT芯片
采用外延扩铂金FRD芯片
集成NTC温度传感器
高可靠性及热稳定性，良好的参数一致性
100% RBSOA测试（2*I C ）
低通态损耗（V CE =2.0V）
低关断损耗 (E off =1.22mJ)
高短路耐量（>10us）
无铅，符合RoHS
应用领域
电机传动
伺服驱动器 等
详细参数
Type | Family | Package | Switching Speed | VCES | IC | VCE(sat) | tf (typ) (ns) | Eoff | Vf | 推 荐 应 用 |
(V) | @ 100℃ (A) | @25℃ typ (V) | @25℃ typ (mJ) | @25℃ typ（V） | ||||||
KWMFP25R12NS3_B | Power Modules | L1-1(对应KT4) | Fast | 1200 | 25 | 2.0 | 226 | 1.22 | 1.8 | 通用变频器 |
