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KWMFP25R12NS3

特征
采用沟槽栅场截止型IGBT芯片
高可靠性及热稳定性,良好的参数一致性
低关断损耗
高短路耐量
应用领域
变频 电机驱动控制 等
 
详细参数

Type

Family

Package

Switching Speed

VCES

IC

VCE(sat)

tf (typ)  (ns)

Eoff

Vf

推 荐 应 用

(V)

 @ 100 (A)

@25  typ (V)

 @25 typ (mJ)

@25 typV

KWMFP25R12NS3

Power Modules

L1(对应KT3)

Fast

1200

25

2.0

226

1.22

1.8

变频


KWMFP25R12NS3中文数据手册下载

KWMFP25R12NS3英文数据手册下载

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