KWSFH50R12F4BM
特征
采用最新沟槽栅场截止型IGBT芯片
高可靠性及热稳定性，良好的参数一致性
100% RBSOA测试（2*Ic）
低通态压降（VCE=2.2V）
低关断损耗 (Eoff=1.3mJ)
无铅，符合RoHS
详细参数
Type | Family | Package | Switching Speed | VCES | IC | VCE(sat) | tf (typ) (ns) | Eoff | Vf | 推 荐 应 用 |
(V) | @ 100℃ (A) | @25℃ typ (V) | @25℃ typ (mJ) | @25℃ typ（V） | ||||||
KWSFH50R12F4BM | Power Modules | M4 | Fast | 1200 | 50 | 2.2 | 37 | 1.3 | 2.3 | 逆变焊机 |
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