KWKFF200R17S2BM
特征
采用沟槽栅场截止型IGBT芯片
饱和压降为正温度系数
高可靠性及热稳定性，良好的参数一致性
内置反并联快恢复二极管
采用沟槽栅场截止型IGBT芯片
饱和压降为正温度系数
高可靠性及热稳定性，良好的参数一致性
内置反并联快恢复二极管
详细参数
Type | Family | Package | Switching Speed | VCES | IC | VCE(sat) | tf (typ) (ns) | Eoff | Vf | 推 荐 应 用 |
(V) | @ 100℃ (A) | @25℃ typ (V) | @25℃ typ (mJ) | @25℃ typ（V） | ||||||
KWKFF200R17S2BM | Power Modules | M2 | Fast | 1700 | 200 | 2 | 376 | 52.7 | 2.3 | 变频器 |
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