KWN1FP75R12S2BM
特征
采用最新沟槽栅场截止型IGBT芯片
集成NTC温度传感器
高可靠性及热稳定性，良好的参数一致性
低通态损耗（VCE=2.2V）
低关断损耗 (Eoff=7.6mJ)
高短路耐量（>10us）
应用领域
通用变频器 电机传动
伺服驱动器 等
详细参数
Type | Family | Package | Switching Speed | VCES (V) | IC @ 100℃ (A) | VCE(sat) @25℃ typ (V) | tf (typ) (ns) | Eoff @25℃ typ (mJ) | Vf @25℃ typ（V） | 推 荐 应 用 |
KWN1FP75R12S2BM | Power Modules | L2-1(对应KT3) | Fast | 1200 | 75 | 2 | 56 | 5.1 | 2.05 | 通用变频器 |
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