特征
采用最新沟槽栅场截止型IGBT芯片
集成NTC温度传感器
高可靠性及热稳定性,良好的参数一致性
低通态损耗(VCE=1.9V)
低关断损耗 (Eoff=3.2mJ)
高短路耐量(>10us)
应用领域
电机传动/伺服驱动器 等
Type | Family | Package | Switching Speed | VCES | IC | VCE(sat) | tf (typ) (ns) | Eoff | Vf | 推 荐 应 用 |
(V) | @ 100℃ (A) | @25℃ typ (V) | @25℃ typ (mJ) | @25℃ typ(V) | ||||||
KWN1FP50R12S2BM | Power Modules | L2-1(对应KT3 ) | Fast | 1200 | 50 | 1.9 | 140 | 3.2 | 1.9 | 电机传动/伺服驱动器等 |
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