您当前的位置:首页    产品中心    IGBT模块

KWN2FP50R12S2BM

特征
采用最新沟槽栅场截止型IGBT芯片
集成NTC温度传感器
高可靠性及热稳定性,良好的参数一致性
低通态损耗(VCE=1.9V)
低关断损耗 (Eoff=3.2mJ)
高短路耐量(>10us)


应用领域

电机传动/伺服驱动器等

 
详细参数

Type

Family

Package

Switching Speed

VCES

IC

VCE(sat)

tf (typ)  (ns)

Eoff

Vf

推 荐 应 用

(V)

 @ 100 (A)

@25  typ (V)

 @25 typ (mJ)

@25 typV

KWN2FP50R12S2BM

Power Modules

L2(对应KT4)

Fast

1200

50

1.9

140

3.2

1.9

电机传动/伺服驱动器


KWN2FP50R12S2BM中文数据手册下载

KWN2FP50R12S2BM英文数据手册下载

@2015江苏中科君芯科技有限公司  苏ICP备15018141号 工信部备案系统网址:www.beian.miit.gov.cn

地址:江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋五层    电话: (+86) 0510-81884888
传真: (+86) 0510-85381915  E-mail:junshine@cas-junshine.com

网址:http://www.cas-junshine.com