KWRFF50R12SWM
特征
采用最新沟槽栅场截止型IGBT芯片
高可靠性及热稳定性，良好的参数一致性
100% RBSOA测试（2*IC）
低通态压降（VCE=1.60V）
低关断损耗 (Eoff=3.02mJ)
高短路耐量（>10us）
无铅，符合RoHS
采用最新沟槽栅场截止型IGBT芯片
高可靠性及热稳定性，良好的参数一致性
100% RBSOA测试（2*IC）
低通态压降（VCE=1.60V）
低关断损耗 (Eoff=3.02mJ)
高短路耐量（>10us）
无铅，符合RoHS
详细参数
Type Family Package Switching Speed VCES IC VCE(sat) tf (typ) (ns) Eoff Vf 推 荐 应 用 (V) @ 100℃ (A) @25℃ typ (V) @25℃ typ (mJ) @25℃ typ（V） KWRFF50R12SWM Power Modules M1 Fast 1200 50 1.6 53 3.02 1.90 逆变焊机
