中科君芯受理专利情况一览表更新

发布日期：2013-11-24 【字号：大中小】

经我司研发团队全体成员共同努力，截至目前受理和获得授权各类专利共计92项。

专利清单列表如下：

序号	专利名称	发明类型	申请号
1	超结的制作方法	发明专利	201210519863.0
2	逆阻型绝缘栅双极晶体管的制作方法		201310102479.5
3	一种功率半导体器件及其形成方法		201310025255.9
4	一种IGBT器件及其形成方法		201210499322.6
5	一种IGBT器件及其制作方法		201210418809.7
6	用于半导体功率器件的沟槽式终端及其制备方法		201210370720.8
7	采用质子辐照制备终端结构的方法		201210370852.0
8	FRD的制备方法		201210371807.7
9	一种IGBT结构及其制作方法		201310087246.2
10	用于半导体功率器件的终端		201210371127.5
11	一种逆导型IGBT器件及其形成方法		201210500942.7
12	一种逆导型IGBT器件		201210501722.6
13	IGBT器件及其制作方法		201210426232.4
14	一种IGBT及其制作方法		201210530076.6
15	一种绝缘栅双极型晶体管		201210526368.2
16	一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法		201210526416.8
17	一种绝缘互联散热板及功率模块		201210418921.0
18	一种半导体器件及其制作方法		201210506054.6
19	一种功率器件的制备方法		201310086257.9
20	一种带缓冲层的低压IGBT及其制作方法		201310085560.7
21	一种隧穿型逆导IGBT及其制造方法		201210540050.X
22	PIN超结结构		201310085640.2
23	一种沟槽型IGBT及其制造方法		201210540052.9
24	一种沟槽型IGBT结构的制作方法		201310085577.2
25	一种终端与有源区形成弱电连接的结构及其设计方法		201310086213.6
26	一种增强微穿通型IGBT		201210540053.3
27	一种功率器件—TI-IGBT的结构及其制备方法		201310086221.0
28	功率器件-MPT-TI-IGBT的结构及其制备方法		201310085533.X
29	EMPT-TI-IGBT器件的结构及其制备方法		201310085535.9
30	一种电场阻断型IGBT结构的制备方法		201310086227.8
31	一种IGBT短路集电极结构的制备方法		201310086224.4
32	一种IGBT的缓冲层结构及其制作方法		201310085624.3
33	用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区		201310086355.2
34	逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法		201210524694.X
35	逆导型IGBT的背面结构及其制备方法		201210526482.5
36	逆导型IGBT的制备方法		201210526292.3
37	一种中高压沟槽型功率器件的终端结构及其制作方法		201310086262.X
38	一种平面型IGBT结构的制备方法		201310085579.1
39	一种三模式集成绝缘栅型双极晶体管及其形成方法		201210519798.1
40	RC-IGBT及其制作方法		201210519817.0
41	IGBT及其元胞结构、以及IGBT的形成方法		201210520131.3
42	ITC-IGBT及其制作方法		201210519402.3
43	一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法		201310058786.8
44	IGBT及其制作方法		201210509411.4
45	一种穿通型IGBT及其制作方法		201210510311.3
46	一种绝缘栅场效应晶体管及其制作方法		201210551729.9
47	一种带FS层的PT型功率器件的制作方法		201210543954.8
48	一种IGBT结构及其制备方法		201210526291.9
49	一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法		201210524692.0
50	采用金属硅化物的功率半导体器件结构及制备方法		201210421076.2
51	钝化半导体接触表面的功率半导体器件的集电极结构及制备方法		201210449247.2
52	逆导IGBT器件结构及制造方法		201210372401.0
53	功率半导体器件的背面集电极结构		201310013013.8
54	逆导IGBT器件及制造方法		201210476017.5
55	功率半导体器件的集电极结构		201310012548.3
56	绝缘栅双极晶体管的集电极背面结构		201310013014.2
57	IGBT集电极结构（发明专利）		201210494615.5
58	一种IGBT集电极结构及其制备方法		201310008968.4
59	一种高压半导体器件及其终端	实用新型	201220505060.5
60	一种半导体功率器件		201220652041.5
61	一种IGBT		201220657534.8
62	一种半导体器件		201220647148.0
63	一种中高压IGBT终端		201320121922.9
64	一种IGBT的版图布局		201320121908.9
65	绝缘栅型双极晶体管		201320123024.7
66	一种有源区金属与终端区形成电连接的版图		201320121934.1
67	结终端延伸的终端版图结构及其终端结构		201320121865.4
68	一种在IGBT或者VDMOS上形成的沟槽		201220688948.7
69	一种逆导型IGBT的背面版图布局		201220689587.8
70	一种IGBT版图		201220587115.1
71	一种IGBT版图		201220586619.1
72	一种IGBT版图		201220652972.5
73	一种IGBT功率模块测试夹具		201220672107.7
74	用于两单元73毫米功率器件模块电容的测试装置		201320024327.3
75	用于IGBT两单元功率器件模块动态特性的测试装置		201320024496.7
76	一种适用于dummy-trench功率器件的版图		201220702762.2
77	一种沟槽型IGBT版图结构		201220674679.9
78	一种IGBT版图		201220672867.8
79	一种检测电磁炉IGBT壳温的温控装置		201220589990.3
80	塑封引线框架		201220641901.5
81	IGBT背面集电极结构		201320013251.4
82	IGBT芯片版图布局结构		201320012538.5
83	超结的制作方法	PCT	PCT/CN2012/085993
84	RB-IGBT的制作方法		PCT/CN2012/085995
85	一种功率半导体器件及其形成方法		PCT/CN2012/083826
86	用于半导体功率器件的沟槽式终端及其制备方法		PCT/CN2012/088087
87	一种高压超结IGBT的制作方法		PCT/CN2012/088053
88	一种TI-IGBT及其形成方法		PCT/CN2012/086016
89	RC-IGBT及其制作方法		PCT/CN2012/086018
90	IGBT及其元胞结构、以及IGBT的形成方法		PCT/CN2012/085999
91	ITC-IGBT及其制作方法		PCT/CN2012/086001
92	一种IGBT结构及其制备方法		PCT/CN2012/088110

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