 | 副总经理：朱阳军 中国科学院微电子研究所研究员、博士。 2007年7月获得山东大学“微电子学与固体电子学”专业博士学位。 2011年成为“中国科学院青年创新促进会”会员； 2012年入选首届中科院北京分院“启明星”优秀人才计划； 《半导体学报》审稿专家； 北京市科委项目评审专家； 科技部国家科技专家库评审专家； 国家电网公司系列评审专家。 山东省科学院客座研究员； 中国科学院大学客座教授； 曾任中国科学院微电子研究所一室副主任，“IGBT”项目组和“测试及可靠性”项目组负责人， 学术带头人，曾任中国 物联网研究发展中心电力电子器件研发实验室主任。主要从事IGBT/FRED等电力电子器件芯片研制及产业化研究工 作，处于国内领先地位，带领团队研制出我国首款6500V IGBT芯片，先后攻克600-6500V全电压系列芯片关键技 术，目前承担多项 国家重大科技专项、中科院重点方向项目等重要研究任务。 朱阳军博士在半导体功率器件领域有10年以上的研究和开发经验。近2年，带领团队已申请发明专利158项，其中 PCT15项；已发表SCI/EI收录论文20余篇。 |
 | 公司副总经理：王海军 产品开发部负责人 2002年7月毕业于南昌大学自动化专业，工学硕士拥有11年半导体功率器件研发经验，10余项半导体发明专利获得国家专利局授权； 2007年~2010年 负责主持开发BCD、射频类LDMOS器件工艺平台并导入量产； 2010年~2012年 负责国内8寸线1200V-6500V IGBT、FRD 器件工艺平台建立； 2012年~2013年 负责国外IDM公司1200V FS IGBT产品工艺整合； 现负责公司600V-1700V FS IGBT、FRD产品开发及导入市场。 |
 | 技术研发部负责人：卢烁今 中国科学院微电子研究所副研究员、博士，专业微电子学与固体电子学。 2008年5月至今，一直从事IGBT产品的开发工作。先后主持和参与设计开发了多款IGBT产 品，电压涵盖600V-6500V各电压档，电流涵盖15A-100A的范围。 负责公司2500V-6500V FS IGBT、FRD产品开发及导入市场。 |
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