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经我司研发团队全体成员共同努力，截至目前受理和获得授权各类专利共计222项。
专利清单列表如下：
序号申请号专利名称发明类型
1PCT/CN2012/085993超结的制作方法PCT
2PCT/CN2012/085995RB-IGBT 的制作方法
3PCT/CN2012/083826一种功率半导体器件及其形成方法
4PCT/CN2012/088087用于半导体功率器件的沟槽式终端及其制备方法
5PCT/CN2012/088053一种高压超结 IGBT 的制作方法
6PCT/CN2012/086016一种 TI-IGBT 及其形成方法
7PCT/CN2012/086018RC-IGBT 及其制作方法
8PCT/CN2012/085999IGBT 及其元胞结构、以及 IGBT 的形成方法
9PCT/CN2012/086001ITC-IGBT 及其制作方法
10PCT/CN2012/088110一种 IGBT 结构及其制备方法
11PCT/CN2013/083602一种 TI-IGBT 器件及其制造方法
12PCT/CN2014/084086一种双模式绝缘栅晶体管
13201210519863超结的制作方法发明
14201310102479.5逆阻型绝缘栅双极晶体管的制作方法
15201310025255.9一种功率半导体器件及其形成方法
16201210499322.6一种 IGBT 器件及其形成方法
17201210418809.7一种 IGBT 器件及其制作方法
18201210370720.8 用于半导体功率器件的沟槽式终端及其制备方法
19201210370852.0采用质子辐照制备终端结构的方法
20201210371807.7FRD 的制备方法
21201310087246.2一种 IGBT 结构及其制作方法
22201210371127.5用于半导体功率器件的终端
23201210500942.7一种逆导型 IGBT 器件及其形成方法
24201210501722.6一种逆导型 IGBT 器件
25201210426232.4IGBT 器件及其制作方法
26201210530076.6一种 IGBT 及其制作方法
27201210526368.2一种绝缘栅双极型晶体管
28201210526416.8一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法
29201210418921一种绝缘互联散热板及功率模块
30201210506054.6一种半导体器件及其制作方法
31201310086257.9一种功率器件的制备方法
32201310085560.7一种带缓冲层的低压 IGBT 及其制作方法
33201210540050.X一种隧穿型逆导 IGBT 及其制造方法
34201310085640.2PIN 超结结构
35201210540052.9一种沟槽型 IGBT 及其制造方法
36201310085577.2一种沟槽型 IGBT 结构的制作方法
37201310086213.6一种终端与有源区形成弱电连接的结构及其设计方法
38201210540053.3一种增强微穿通型 IGBT
39201310086221一种功率器件— TI-IGBT 的结构及其制备方法
40201310085533.X 功率器件 -MPT-TI-IGBT 的结构及其制备方法
41201310085535.9EMPT-TI-IGBT 器件的结构及其制备方法
42201310086227.8一种电场阻断型 IGBT 结构的制备方法
43201310086224.4一种 IGBT 短路集电极结构的制备方法
44201310085624.3一种 IGBT 的缓冲层结构及其制作方法
45201310086355.2用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区
46201210524694.X逆导型 IGBT 的集电极结构及其制备方法
47201210526482.5逆导型 IGBT 的背面结构及其制备方法
48201210526292.3逆导型 IGBT 的制备方法
49201310086262.X 一种中高压沟槽型功率器件的终端结构及其制作方法
50201310085579.1一种平面型 IGBT 结构的制备方法
51201210519798.1一种 TI-IGBT 及其形成方法
52201210519817RC-IGBT 及其制作方法
53201210520131.3IGBT 及其元胞结构、以及 IGBT 的形成方法
54201210519402.3ITC-IGBT 及其制作方法
55201310058786.8一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法
56201210509411.4IGBT 及其制作方法
57201210510311.3一种穿通型 IGBT 及其制作方法
58201210551729.9一种绝缘栅场效应晶体管及其制作方法
59201210543954.8一种带 FS 层的PT 型功率器件的制作方法
60201210526291.9一种 IGBT 结构及其制备方法
61201210524692.0一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法
62201210421076.2采用金属硅化物的功率半导体器件结构及制备方法
63201210449247.2钝化半导体接触表面的功率半导体器件的集电极结构及制备方法
64201210372401.0逆导 IGBT 器件结构及制造方法
65201310013013.8功率半导体器件的背面集电极结构
66201310072619.9 FS 型 IGBT 器件的背面结构
67201210476017.5逆导 IGBT 器件及制造方法
68201310012548.3功率半导体器件的集电极结构
69201310013014.2绝缘栅双极晶体管的集电极背面结构
70201310064612.2 IGBT 背面结构及制备方法
71201210494615.5IGBT 集电极结构
72201310008968.4一种 IGBT 集电极结构及其制备方法
73201310590102.9一种逆阻型绝缘栅型双极晶体管的制作方法
74201310574715.3IGBT 的制作方法
75201310661952.3半导体器件、 PIN 二极管和IGBT 的制作方法
76201410135996.7半导体器件的制作方法及 TI-IGBT 的制作方法
77201410529420.9 半导体器件的制作方法、 TI-IGBT 的制作方法
78201410132211.0一种 IGBT 过温保护电路以及保护方法
79201410048620.2半导体器件封装结构的检测方法
80201410133262.5TI-IGBT 的制作方法
81201410136330.3半导体器件的制作方法及 TI-IGBT 的制作方法
82201410133404.8半导体器件的集电极结构及 TI-IGBT
83201410133920.0半导体器件的集电极结构及 TI-IGBT
84201410134465.6功率半导体器件的高温测试方法
85201410049363.4逆变电路及不间断电源电路
86201410529818.2焊接层质量对半导体器件性能影响的研究方法、焊接方法
87201310618201.3一种 RB-IGBT 的制备方法
88201310697677一种 TI-IGBT 器件
89201310616655.7一种 Trench-RB-IGBT 的制备方法
90201310616662.7一种低压 RB-IGBT 的制备方法
91201410274412.4一种 TI-IGBT 芯片背面结构的加工方法
92201410287757.3一种双模式绝缘栅晶体管
93201410271677.9 一种沟槽隔离 IGBT 器件
94201410192829.6 一种测量 IGBT 稳态热阻值的方法
95201410194176.5 一种检测 IGBT 功率器件可靠性的系统和方法
96201410271507.0 一种集成可变栅电阻栅极结构
97201410529546.6 一种电磁炉 IGBT 的耐压测试装置和方法
98201510683900.5压接式 IGBT 器件
99201510550931.3一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法
100201510548998.3一种逆阻型 IGBT 及其制作方法
101201510550929.6一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法
102201510786081.7一种 IGBT 及其制作方法
103201510784090.2一种 IGBT 及其制作方法
104201510776865.1IGBT 器件及其制作方法
105201510548523.4一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法
106201510548390一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法
107201510550928.1一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法
108201510770393.9逆阻型 IGBT 芯片及其制作方法
109201510771390.7RB-IGBT 芯片的制作方法及 RB-IGBT 芯片
110201510770347.9RB-IGBT 芯片的制作方法及 RB-IGBT 芯片
111201510784111一种快恢复二极管及其制作方法
112201510548524.9一种快恢复二极管及其制作方法
113201510121640.2 IGBT 器件及其制作方法
114201510119746.9绝缘栅双极型晶体管及其制作方法
115201510103019.3降低阳极空穴注入的二极管结构
116201510103235.8改善恢复耐量的二极管结构
117201510103244.7降低动态损耗的沟槽式二极管结构
118201510271797.3一种超高深宽比的超结制造方法
119201510271920.1双沟道超结 IGBT
120201510583125.6一种 IGBT 驱动电路
121201510584009.6变频器过流保护电路
122201510583542.0具备载流子存储的平面栅 IGBT 器件
123201510583251.1具有载流子存储层的沟槽栅 IGBT 制备方法
124201510819602.4能降低米勒电容的超结 IGBT 器件
125201510601441.1IGBT 高效驱动电路
126201510600812.4IGBT 动态测试闩锁保护电路
127201510598391.6大电流 IGBT 芯片的测试夹具
128201510590265.6混合 PIN 肖特基二极管的制备方法
129201510600983.7具有内置二极管的 IGBT 器件的背面工艺
130201510600038.7能实现背面精细化光刻的 IGBT 背面制作方法
131201610148231.6 具有集成栅源电容的 IGBT 器件
132201610147403.8 提高动态雪崩抗性的功率二极管
133201610298120.3 一种抗闩锁 IGBT 器件
134201610298661.6 具有高抗闩锁能力的 IGBT 器件
135201611240226.4 用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座
136

201611240210.3

IGBT 正面结构与制备方法
137201611240202.9 栅极电阻、电容连续可调的 IGBT 测试电路
138201611240129.5 高压大电流 IGBT 的动态测试平台及测试方法
139201611240236.8 沟槽 IGBT 器件及其制造方法
140201611240234.9 用于快速评估快恢复二极管性能的基座
141201611240233.4 可自主设置调节的 IGBT 驱动电源拓扑
142201611255787.1 IGBT 及 FRD 芯片动态测试夹具
143201611255694.9 正弦逆变器 IGBT 结温波动计算方法
144201611254701.3 改善型磁隔离 IGBT 驱动电路
145201611254208.1 IGBT 动态有源钳位保护电路
146201710014443.x具有软恢复特性的快恢复二极管结构
147201710007355.7 一种 FS 型IGBT 器件的制造方法
148201710007181.4 用于兼顾 IGBT 短路能力与开关速度的版图结构
149201710007163.6 具有高抗短路能力的 IGBT 器件
150201710007148.1 IPM 马达驱动应用中的自举电路
151201710007013.5 基于改进型滑膜观测器的 BLDCM 控制系统及控制方法
152201710828440x沟槽型半导体功率器件及其制备方法
153201710827889.4 具有软关断特性的 FS 型IGBT 器件
154201710827906.4 具有高抗短路能力的沟槽栅 IGBT 器件及其制备方法
155201710827886.0 能进行终端横向耐压测试的 IGBT 版图
156201711017467.7压接式 IGBT 器件正面金属电极结构的制备方法
157201711017439.5用于压接式 IGBT 器件正面电极加工的基片
158201711012160.8RC-IGBT 器件的背面加工方法
159201711017441.2RC-IGBT 器件的背面结构制备方法
160201711012226.3用于 RC-IGBT 晶圆背面加工的基片
161201711445491.7 一种 IGBT 可靠性测试的控制方法、装置及系统
162201711445359.xIGBT 模块功率表循环老化试验装置及方法
163201711444393.5 基于神经网络的自适应谐波检测方法及检测电路
164201711442696.3 MPS-FRD 器件的加工方法
165201711442524.6 具有浮空 P 岛的沟槽型二极管及其制备方法
166201711442489.8 提升抗闩锁能力的低通态压降IGBT
167201711442211.0 具有低米勒电容的 IGBT 器件
168201120209191.4一种场限环结构实用新型
169201120220830.7IGBT 版图
170201120268817.9通过外延方法形成 FS 层的高压IGBT
171201220505060.5一种高压半导体器件及其终端
172201220652041.5一种半导体功率器件
173201220657534.8一种 IGBT
174201220647148一种半导体器件
175201320121922.9一种中高压 IGBT 终端
176201320121908.9一种 IGBT 的版图
177201320123024.7绝缘栅型双极晶体管
178201320121934.1一种有源区金属与终端区形成电连接的版图
179201520087935.8 结终端延伸的终端版图结构及其终端结构
180201220688948.7一种在 IGBT 或者VDMOS 上形成的沟槽
181201220689587.8一种逆导型 IGBT 的背面版图布局
182201220587115.1一种 IGBT 版图
183201220586619.1一种 IGBT 版图
184201220652972.5一种 IGBT 版图
185201220672107.7一种 IGBT 功率模块测试夹具
186201320024327.3用于两单元 73 毫米功率器件模块电容的测试装置
187201320024496.7用于 IGBT 两单元功率器件模块动态特性的测试装置
188201220702762.2一种适用于 dummy-trench 功率器件的版图
189201220674679.9一种沟槽型 IGBT 版图结构
190201220672867.8一种 IGBT 版图
191201220589990.3检测电磁炉 IGBT 壳温的温控装置
192201220641901.5塑封引线框架
193201320013251.4IGBT 背面集电极结构
194201320012538.5IGBT 芯片版图布局结构
195201320761013.1一种 IGBT 缓冲吸收电路
196201320865468.8绝缘栅双极晶体管过流保护电路
197201420324413.0 超声扫描显微镜优化装置
198201520132938.9降低阳极空穴注入的二极管结构
199201520133815.7改善恢复耐量的二极管结构
200201520134047.7降低动态损耗的沟槽式二极管结构
201201520729965.4IGBT 高效驱动电路
202201520729562.XIGBT 动态测试闩锁保护电路
203201520728255.X大电流 IGBT 芯片的测试夹具
204201320121865.4结终端延伸的终端版图结构及其终端结构
205201620408433.5 具有高抗闩锁能力的 IGBT 器件
206201620407834.9 具有集成栅源电容的 RCIGBT 器件
207201620391448.5 一种抗闩锁 IGBT 器件
208201621458525.0 用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座
209201621458524.6 用于快速评估快恢复二极管性能的基座
210201621458522.7 可自主设置调节的 IGBT 驱动电源拓扑
211201621475385.8 IGBT 动态有源钳位保护电路
212201621476717.4 改善型磁隔离 IGBT 驱动电路
213201621492235.8 IGBT 及 FRD 芯片动态测试夹具
214201621488230.8 栅极电阻、电容连续可调的 IGBT 测试电路
215201720010202.3 IPM 马达驱动应用中的自举电路
216201720012859.3 具有高抗短路能力的 IGBT 器件
217201720012858.9 用于兼顾 IGBT 短路能力与开关速度的版图结构
218201720012857.4 具有软恢复特性的快恢复二极管结构
219201721396897.X用于 RC-IGBT 晶圆背面加工的基片
220201721860534.7 具有低米勒电容的 IGBT 器件
221201721858600.7 提升抗闩锁能力的低通态压降IGBT
22220182014342.9IGBT 芯片的过流检测保护电路

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